运放是集成在一个芯片上的
晶体管放大器,偏置电流 bias current 就是第一级放大器输入晶体管的
基极直流电流。
晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号
电压放大,就必须保证晶体管的
发射结正偏、
集电结反偏。即应该设置它的
工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的
基极、
发射极和集电极处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为
偏置电路(可理解为,设置
PN结正、反偏的电路),偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。 以常用的共射放大电路说吧,主流是从发射极到
集电极的
IC,偏流就是从发射极到基极的IB。相对于
主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件,其中有一重要电阻,往往要调整阻值,以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻 就是
偏置电阻。稳定
静态工作点原理 设流过
基极偏置电阻的电流IR>IB,因此可以认为基极电位VB只取决于
分压电阻、,VB与
三极管参数无关,不受温度影响。 静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现,稳定过程如下: 设温度升高→IC↑→IE↑→VE↑、VB不变→VBE↓→IB↓→IC↓ 其中:IC↑→IE↑是由电流方程 IE = IB+IC得出,IE↑→VBE↓是由电压方程VBE= VB-IERe得出,IB↓→IC↓是由 IC =βIB得出。 由上述分析不难得出,Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性,Re太大其
功率损耗也大,同时VE也会增加很多,使VCE减小导致三极管
工作范围变窄。因此Re不宜取得太大。在
小电流工作状态下,Re值为几百欧到几千欧;
大电流工作时,Re为几欧到几十欧。