研究人员将
磷化铟的发光属性和硅的光路由能力整合到单一混合芯片中。当给磷化铟施加电压的时候,光进入硅片的波导,产生持续的
激光束,这种激光束可驱动其他的硅
光子器件。这种基于硅片的
激光技术可使
光子学更广泛地应用于计算机中,因为采用大规模硅基制造技术能够大幅度降低成本。
英特尔认为,尽管该技术离商品化仍有很长距离,但相信未来数十个、甚至数百个混合硅
激光器会和其它硅光子学部件一起,被集成到单一硅基芯片上去。这是开始低成本
大批量生产高
集成度硅光子芯片的标志。
随着
集成电路的不断发展,传统的电子集成电路在带宽与能耗等方面逐渐接近极限。随着
电子电路集成度的不断提高,金属导线变得越来越细,导线之间的间距不断缩小,这一方面使得导线的电阻和其
欧姆损耗不断增大,使得系统能耗不断增加;另一方面会造成金属导线间的电容增大,引起导线之间的
串扰加大,进而影响芯片的高频性能。
电子
集成芯片采用电流信号来作为信息的载体,而光子芯片则采用频率更高的光波来作为
信息载体。相比于电子集成电路或电互联技术,光子集成电路与
光互连展现出了更低的
传输损耗 、更宽的传输带宽、更小的
时间延迟、以及更强的抗电磁干扰能力。 此外,光互连还可以通过使用多种复用方式(例如
波分复用WDM、模分互用MDM等)来提高
传输媒质内的
通信容量。 因此,建立在
集成光路基础上的片上光互连被认为是一种极具潜力的技术用以克服电子传输所带来的瓶颈问题。
早在1969年, 美国的
贝尔实验室 (Bell Labs)就已经提出了
集成光学的概念。近年来随着技术的发展,包括硅、
氮化硅、
磷化铟、
III-V族化合物、
铌酸锂、
聚合物等多种材料体系已被用于研发单片集成或混合集成的光子芯片。
光子学与电子学的混合集成一直是提高光子芯片中
光电子集成器件的速度和带宽的关键,可通过多种方法实现Tbps或更高的
信息传输速率。美国
英特尔公司于2006宣布,该公司与美国
加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)的研究人员已成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合硅
激光器,这标志着用于
未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备产业化的障碍之一被解决。
美国加州大学伯克利分校(
UC Berkeley)于2015年报道了利用光进行
数据传输的第一个在硅基片上集成的光
电子系统,利用光信号进行数据的搬运和传输。2018年,美国
麻省理工学院(MIT)的研究团队也报道了将
光波导、微环谐振腔光调制器等约850个
光子器件和约7000万个个
晶体管等
电子器件集成在了同一个光电子系统中的工作。2021年,来自
加拿大和美国的团队也报道了可编程的多光子
量子芯片。
现阶段的光子集成电路仍然存在器件尺寸较大、效率较低、功能单一等挑战,其原因在于传统光波导在结构和材料等方面仍存在局限性。2016年,来自
以色列的研究团队通过在波导内添加刻槽结构引入额外相位,补偿不同模式间的传输
相位差,实现了集成化的模式转换器。2017年,美国
哥伦比亚大学的学者利用集成了梯度超表面的
超构波导实现了氮化硅波导的非对称传播。2020年,美国
宾夕法尼亚州立大学的研究团队通过将
超表面制作硅波导上,实现了具有平面外光束偏转和聚焦功能的片上集成
光器件。同年,来自中国
清华大学和美国
麻省理工学院的研究团队利用
超构波导平台,实现了多功能的集成化波导
耦合器、波长与偏振解
复用器、片上
涡旋光束发射器等集成光器件设计。截至2021年,来自
北京大学和清华大学的研究团队也分别综述了微纳结构集成光芯片的研究进展。
华中科技大学和
浙江大学的研究学者也报道了关于片上
可重构模式转换器和集成化硅
波导通信器件的研究。
高速数据处理和传输构成了现代计算系统的两大支柱,而光子芯片将信息的传输和计算提供一个重要的
连接平台,可以大幅降低信息连接所需的成本、复杂性和
功率损耗。随着
硅基光电子学和半导体加工技术的不断发展,光子和电子混合集成的
光电子芯片还可以进一步的提升器件性能并
降低成本,以满足不断增长的高带宽互连的需要。
2024年5月,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣领衔的团队在该领域取得突破性进展,他们开发出钽酸锂异质集成晶圆,并成功用其制作高性能光子芯片。该成果5月8日发表于国际学术期刊《自然》。欧欣团队与瑞士洛桑联邦理工学院托比亚斯·基彭贝格(Tobias Kippenberg)团队进一步开发了超低损耗钽酸锂光子芯片微纳加工方法。同时,基于钽酸锂光子芯片,团队首次在X切型电光平台中成功产生了孤子光学频率梳,结合其电光可调谐性质,有望在激光雷达、精密测量等方面实现应用。