光阻，亦称为光阻剂，是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。

光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)

正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。

负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。

光阻通常使用在紫外光波段或更小的波长(小于400纳米)。例如DNQ在300纳米到450纳米间有很强的吸收。

正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在LED芯片制造的金属电极蒸镀Lift-off制程中，由于LED电极所使用的金属材料不易经由蚀刻的方式制作电路图形，所以利用拔起（Lift-off）微影制程，得到突起的（Overhang）光阻图形，使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上，再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部分拔起，完成金属电极的图案。

半导体制程常用的正型光阻剂，在光学曝光方式下，光阻剂上层接受能量较下层光阻高，使得正型光阻剂成像大部分图形为上窄下宽，无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形，而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反，所以负型光阻剂是lift-off制程的最佳选择。

作者：LED小知识

光阻液

光阻材料简介

光阻主要由树脂(resin)，感光剂(sensitizer)，溶剂(solvent)三种成分混合而成。

光阻种类: 光阻分为正光阻及负光阻两种。

1. 正光阻: 光阻本身难溶于显影液，曝光后解离成小分子，形成容易溶于显影液的结构。

2. 负光阻: 曝光后形成不容易溶于显影液的结构。

一般Array photo process 对正型光阻的需求如下:

1. 涂布Coating: Thickness uniformity and Mura free.

2. 曝光Exposure: Photospeed.

3. Development: Thickness loss, taper and process window.

4. Postbaking: Heat resistance and reflow.

5. Etching: Etching resistance and adhesion.

6. Stripping: Resist removability.