升华再结晶法（sublimate reerystallization method）应用物质升华再结晶的原理制备单晶的方法。 物质通过热的作用，在熔点以下由固态不经过
液态直接转变为
气态，而后在一定温度条件下重新再结晶，称升华再结晶。
升华再结晶法（sublimate reerystallization method）应用物质升华再结晶的原理制备单晶的方法。
1891年R.洛伦茨(Lorenz)利用升华再结晶的基本原理生长
硫化物小的晶体。
1950年D.C. 莱诺尔兹(Reynolds)以粉末状CdS为原料用升华，再结晶方法制备了3X3火6mm的块状CdS晶体。
1961 年W.W.培皮尔(PIPer)用标准升华再结晶的方法生长了直径为13mm的CdS单晶，升华再结晶法已成 为生长H一砚族
化合物半导体单晶材料的主要方法之一。
为使物质的分子气化，单位物质所吸收的热量必须大于升华热(即
熔解热和
气化热之和)，以克服固态物质的分子与周围分子的亲合力和环境的压强等作用。
如果在该
容器的另一端创造一个可以释放相变潜热(即相变过程中单位物质放出的热量)的环境，则将发生凝华作用而生成凝华核即晶核。
根据
科赛尔结晶生长理论，一旦晶核形成，新的二维核将沿晶核周边阶梯继续进行排列，当生长一层分子后，在其平坦的结晶面上将有新的二维核形成，进而生成另一层新的分子层。
升华再结晶法可用于熔点下分解压力大的材料，如制备CdS、
ZnS、Cdse等单晶。其缺点是生成速率慢，生长条件难以控制。