半导体光电器件是指把
光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的
光电效应(或
热电效应)制成的器件。
光电器件主要有,利用
半导体光敏特性工作的
光电导器件,利用半导体光伏打效应工作的
光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向大家介绍一下这些光电器件的工作原理。半导体光电器件如光导管、光电池、
光电二极管、
光电晶体管等;半导体热电器件如
热敏电阻、
温差发电器和
温差电致冷器等。
本章第一节曾介绍过半导体材料的光敏特性,即当半导体材料受到一定波长光线的照射时,其
电阻率明显减小,或说
电导率增大的特性。这个现象也叫
半导体的光电导特性。利用这个特性制作的半导体器件叫
光电导器件。
半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。
载流子就是由半导体原子逃逸出来的电子及其留下的空位-----
空穴。电子从原子中逃逸出来,必须克服原子的束缚而做功,而光照正是向电子提供能量,使它有能力逃逸出来的一种形式。因此,光照可以改变载流子的浓度,从而改变半导体的电导率。
这是一种半导体电阻。在没有光照时,电阻很大;在一定波长范围的光照下,电阻值明显变小。制作光敏电阻的材料主要有硅、锗、
硫化镉、
锑化铟、硫化铅、
硒化镉、硒化铅等。硫化镉光敏电阻对
可见光敏感,用硫化镉单晶制造的光敏电阻对X射线、
γ射线也敏感;硫化铅和锑化铟对红线外线光敏感。利用这些
光敏电阻可以制成各种
光探测器。
光电二极管的管芯也是一个PN结,只是结面积比普通二极管大,便于接收光线。但和普通二极管不同,光电二极管是在
反向电压下工作的。它的
暗电流很小,只有0 1
微安左右。在光线照射下产生的电子----
空穴对叫
光生载流子,它们参加导电会增大
反向饱和电流。光生载流子的数量与
光强度有关,因此,反向饱和电流会随着光强的变化而变化,从而可以把光信号的变化转为电流及电压的变化。
光电二极管的结构及符号如图表-29所示。光电二极管主要用于近
红外探测器及
光电转换的自动控制仪器中,还可以作为
光导纤维通信的接收器件。
光电三极管的结构与普通三极度管相同,但基区面积较大,便函于接收更多的
入射光线。
入射光在
基区激发出电子----
空穴时,形成
基极电流,而
集电极电流是基极电流β倍,因此光照便能有效地控制集电极电流。光电三极管比
光电二极管有更高的灵敏度。
半导体
PN结在受到光照射时能产生
电动势的效应,叫光伏打效应。
硅光电池就是利用光伏打效应将光能直接换成电能的半导体器件。
图表3-31是硅光电池的结构和电路符号图。从图中可见硅光电池就是一个大面积PN结。光照可以使薄薄的P型区产生大量的
光生载流子。这些光生
电子和空穴,会向PN结方向扩散。扩散过程中,一部分电子和空穴复合消失,大部分扩散到PN结边缘。在结电场的作用下,大部分光生
空穴被电场推回P型区而不能穿越PN结;大部分光生电阻却受到结电场的加速作用穿越PN结,到达N型区。随着光生电子在N型区的积累及光生空穴在P型号区的积累,会在在PN对的两侧产生一个稳定的电位差,这就是光生
电动势。当
光电池两端接有负载时,将有电流流过负载,起着电池的作用。
能源----硅光电池串联或并联组成
电池组与
镍镉电池配合、可作为人造成卫星、宇宙飞船、航标灯、无人气象站等设备的电源;也可做
电子手表、
电子计算器、小型号汽车、游艇等的电源。
半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括
发光二极管、
红外光源、半导体发光数字管等。
发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有
单向导电性。PN结加上
正向电压时,电子由N区渡越(扩散)到
空间电荷区与
空穴复合而释放出能量。这些能量大部分以发光的形式出现,因此,可以直接将电能转换成光能。发光二极管的发光颜色(波长),困半导体材料及掺杂成分不同而不同。常用的有黄、绿、红等颜色的发光二极管。
把
磷化镓发光管或磷化镓发光管的管芯制成条状,用七条发光管组成七段式数字显示管,可以显示从0到9的十个数字。这种半导体数字显示管的优点是体积小、耗电省、寿命长、响应速度快。它可以作为各种小型
计算器及数字显示仪表的数字显示用。
把半导体发光器件和光敏器件组合封闭装在一起,就组成了具有电---光---电转换功能的
光电耦合器。显然,给耦合器输入一个电信号,发光器件就发光,光被光接收器件接收后,又转成换成电信号输出。因为输入主输出之间用光进行耦合。所以输出端对输入端没有反馈,具有优良的隔离性能和
抗干扰性能。光电耦合器又是
光电开关,这种光电开关不存在继电器中机械点易疲劳的问题,可靠性很高。