掺入半导体中的一类杂质或缺陷，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能.例如，掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中，受主的数量占多数，则这半导体是
P型半导体.，这种杂质或缺陷叫做受主。
价带中的电子如获得一定能量，可以跳到受主能级上，同时价带中出现一个空穴。这一过程也可以理解为：束缚在受主能级上的空穴获得一定能量后进入价带，成为自由空穴，这一能量叫做空穴的电主取胜。电离能小的受主能级是浅受主能级，电离能大的是深受主能级。
在能级图上空穴能量是向下增加的，受主能级在价带顶上方。硼、铝、铟、镓是锗、硅中的浅受主能级杂质。硼、铝、铟、镓也称为锗、硅中的P型杂质。深能级受主可能成为电子陷阱或
复合中心。
质或缺陷为什么会形成受主能级，其情况是很复杂的。 不同材料、不同杂质产生受主能级的原因可以很不相同. 与施主一样，一种最简单的也是实际上最重要的受主杂质是类氢杂质. 在锗、硅、Ⅲ-V族化合物等重要的半导体材料中加入少一个价电子的元素(如在锗、硅中加入硼、铝、镓;在Ⅲ-Ⅴ族化合物中加入Ⅱ族元素代替原来的Ⅲ族原子)，它们成为受主.。
以硅为例，硅是Ⅳ族元素，有四个价电子，与四个近邻原子形成四个共价键. 假如有Ⅲ族元素原子，例如硼原子替代一个硅原子，只有三个价电子的硼原子必须从附近的硅原子获得一个多出的价电子，自己变成-1价的负离子，同时在价带中形成一个空穴、这个空穴可以为杂质的负电荷所束缚，亦正如同氢原子的情形，只是正负电荷对调了.这样一个束缚的空穴相当于图中所示的受主能级，位于价带顶之上，这是因为，空穴电离意味着产生一个在价带中自由运动的空穴，在能带中这相当于需要能量εD才能使价带顶一个电子激发到受主能级而在价带顶留下一个自由空穴.电离能一般是百分之几电子伏的数量级.电离能远小于
半导体禁带宽度的受主又称为浅能级受主。
在制备PTC陶瓷材料时，加入少量铁、锰、铜等离子作为受主掺杂物，可以改善PTC陶瓷的性能。在烧结时，由于烧结助剂的影响，这些受主掺杂物部分进入晶格，大部分在晶界偏析。偏析在晶界上的受主掺杂离子可以捕获导电电子，从而使晶界势全升高，材料的升阻比增大。但受主掺杂物掺杂量继续增加，受主离子将进入晶格补偿施主离子，参与导电的电子减少，材料室温电阻率逐渐增大，升阻比受此影响会减小。如何控制好受主掺杂物的掺杂量，获得理想的低室温电阻率高升阻比的材料是实验研究的重点。