张广宇，男，1977年生，博士生导师。1999年在山东大学物理系本科毕业，2004年中科院物理研究所获博士学位。曾先后在德国Fraunhofer表面技术与工程研究所做访问学者（2002-2003），美国Stanford大学做博士后研究（2004-2008）。2008年入选中科院“百人计划”，现任中科院物理所研究员。

主要研究方向： 纳米器件及其物理。

主要包括：

1. 低维纳米结构的可控生长、组装、表面修饰及其电/光学性质研究

2. 以低维纳米结构为模板的10纳米以下尺度的微加工工艺研究

3. 纳米能源和信息器件及其相关物理问题的研究

张广宇是2023年中国科学院数学物理部院士增选有效候选人，高鸿钧提名

自2001年起主要从事碳纳米材料的合成、组装、物性与器件研究。主要结果有：

1. 实验上第一次合成了石墨纳米锥结构和纳米螺旋纤维

2. 发展了一种等离子体辅助的化学气相生长技术来生长高质量、定向、大面积的单壁碳纳米管阵列

3. 深入研究了单壁碳纳米管表面的原子氢的化学吸附/脱附行为及导致的金属-半导体转变

4. 利用等离子体刻蚀手段实现了金属性单壁碳纳米管的选择性刻蚀，成功制备出纯半导体纳米管大功率场效应管器件

发表及合作发表论文20余篇，他人引用次数超过500次。其中第一作者文章10篇，包括Science 2篇, PNAS 1篇, JACS 1篇，等等。

近期5篇代表性工作：

1. G. Y. Zhang, X. Jiang & E. G. Wang, Tubular Graphite cones, Science 300, 472 (2003)

2. G. Y. Zhang, D. Mann, L. Zhang, A. Javey, Y. M. Li, E. Yenilmez, Q. Wang, J. P. McVittie, Y. Nishi, J. Gibbons & H. Dai, Ultra-high-yield growth of vertical single-walled carbon nanotubes: Hidden roles of hydrogen and oxygen, PNAS 102, 16141 (2005).

3. G. Y. Zhang, P. F. Qi, X. R. Wang, Y. R. Lu, D. Mann, X. L. Li & H. Dai, Hydrogenation, Hydrocarbonation and etching of single walled carbon nanotubes, JACS 128, 6026 (2006).

4. G. Y. Zhang, P. F. Qi, X. R. Wang, Y. R. Lu, X. L. Li, R. Tu, S. Bangsaruntip, D. Mann, L. Zhang & H. Dai, Selectively Etching of Metallic Carbon Nanotubes by Gas-phase Reaction, Science 314, 974 (2006).

5. X. L. Li, G. Y. Zhang, X.D. Bai, X. M. Sun, X. R. Wang, E. G. Wang and H. Dai, Highly Conducting Graphene Sheets and Langmuir-Blodgett Films, Nature Nanotechnology 3, 538 (2008)

研究课题及展望： 承担的课题有：中科院“百人计划”资助课题、物理所人才启动计划资助课题、“全国百篇优秀博士毕业论文”资助课题等。