张进成，男，1976年7月生，汉族，陕西富平人，工学博士。微电子学院教师，二级教授，博士生导师，宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任，陕西省大功率半导体照明工程技术研究中心副主任，2009年国家技术发明二等奖获得者（排名第二），IEEE会员，中国电子学会空间电子学分会第六届委员。先后入选2010年陕西省“新世纪三五人才”计划，被授予陕西省青年科技新星（2010年）、教育部新世纪优秀人才（2007年）、陕西省高等学校优秀青年教师（2005年）、校十佳青年教师（2005年）等荣誉称号。

张进成分别于1998年、2001年和2004年在西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业获得学士、硕士和博士学位，师从著名微电子专家郝跃教授。

2005年6月晋升为副教授，2009年6月破格晋升教授。

分别于2005年12月和2010年12月被评为微电子学与固体电子学硕士生指导教师和博士生指导教师。

2008年10月起担任宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任。

历任微电子学院副院长，科学研究院院长兼基础科研与能力建设部部长，校长助理等职务。

西安电子科技大学第十三届党委常委。

（1）宽禁带半导体技术（设备、材料、微波器件、功率器件等）；

（2）低维半导体材料与器件（超晶格、纳米、石墨烯等）；

（3）半导体光电材料与器件（LED、太阳电池等）。

作为主要技术负责人先后研制出表面反应增强型MOCVD系统、高性能GaN异质结构外延材料、GaN微波毫米波功率器件、高亮度GaN蓝光LED以及InGaN基化合物半导体太阳电池等大量研究成果，填补了多项国内空白，打破了发达国家的技术垄断。合作开发的MOCVD技术和高亮度蓝光LED技术已实现技术转让和产业化，产值上亿元。研制的高性能GaN异质结构外延材料在中科院微电子所等国内单位以及日本、新加坡等国的研究机构中获得大量应用，被评价为材料性能达到国际先进水平。研究成果获得国家技术发明二等奖 1 项（排名第二），省部级一、二等奖 5项。

2021年，荣获何梁何利基金科学与技术创新奖（青年创新奖）。