在光刻工艺中，光刻机单次实现曝光所能支持的最大区域范围为曝光区域。

先进步进-扫描式光刻机所能支持的最大曝光区域(exposure field)面积是 26mm×33mm，而步进式光刻机(stepper)的曝光区域只22mm×22mm。光刻工艺中，在曝光时，实际芯片可能小于这个尺寸，光刻机的曝光区域必须能够随之做调整。也可以把几个不同的版图放在同一张掩模版上，这样一个曝光区域中就可以有几个不同的器件设计(又称为“die”)，最终制备成几个不同功能的芯片，如图1所示。

与曝光区域相关的几个概念解释如下：

（1）网格(grid)，按照曝光区域把晶圆表面分成若干大小相同的矩形区域的网格；

（2）每一个网格内的区域被称为一个单元(cell)；

（3）每一个 cell 里有一个曝光区域，曝光区域的面积比 cell 略小一些。每一次曝光又称为一个“shot”。