李虞锋，男，博士，西安交通大学电子与信息学部教授。

GaN基光电子材料和器件，InGaN、GaN材料生长，光电子器件，大功率照明芯片制备。

教育背景

1999年09-2004年07 中国科学技术大学 应用物理学 学士

2004年08-2010年08 美国 Rensselaer Polytechnic Institute （伦斯勒理工学院）应用物理学 博士（Ph.D）

工作经历

2009年5月 美国 通用电气公司（GE）全球研发中心 (GRC)

2010年8月-2013年12月 美国 Luminus Devices公司

2014年10月-2015年2月 美国 Yale University耶鲁大学访问研究

2014年1月-至今 西安交通大学电信学院电子系　 副教授

2015年1月-至今 西安交通大学电信学院电子系　 博导 特聘研究员

半导体物理与器件

科研项目

美国纽约州伦斯勒理工学院攻读应用物理学博士期间,在国际著名的氮化物材料专家Christian Wetzel教授（师从2014年诺贝尔物理学奖得主Isamu Akasaki）指导下从事宽禁带III-氮化物半导体材料生长及其结构、电光学特性的研究，并作为骨干成员参与了美国国防部（DARPA）、能源部（DOE）、空军实验室（AFL）、国家自然科学基金（NSF）等重大科学研究项目。

（1）国家自然科学基金

发表论文

作为第一作者和共同作者在国际学术期刊上发表论文40余篇。

Selected publications：

(1) Carrier injection modulated by V-defects in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue LEDs，Japanese Journal of Applied Physics (2014)

(2) Deep hole injection assisted by large V-shape pits in InGaN/GaN multiple-quantum wells blue light-emitting diodes， Journal of Applied Physics (2014);

(3) Defect-reduced green GaInN/GaN light-emitting diode on nanopatterned sapphire，APPLIED PHYSICS LETTERS (2011)