EEPROM，或写作E2PROM，全称电可擦除可编程只读存储器 （英语：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。

EEPROM有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，芯片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。编程写入时，芯片通过Vpp（一般+25V, 较新者可能使用 12V 或 5V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线，便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确，在每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压，且写入时间也已有缩短。

由于EEPROM的优秀性能，以及在线上操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的BIOS芯片以及闪存芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的RAM芯片，甚至取代部分的硬盘功能（见固态硬盘）。它与高速RAM成为当前（21世纪00年代）最常用且发展最快的两种存储技术。

1978年，Intel公司的George Perlegos在EPROM技术的基础上，改用薄的闸极氧化层，以便无需紫外光，芯片就可以用电气方式抹除自身的比特，因而开发出型号为2816的16kbit EEPROM。Perlegos与一些同事后来离开Intel，创立Seeq Technology公司后，在芯片上内置电荷泵（charge pump）以提供刻录时自身所需的高电压，因而推出只需5V电压的EEPROM，利于实施线上刻录（In-System Programming，ISP 或称 In-Circuit Programming，ICP）。

有的 EEPROM 是包含于其他组件中，为该组件的一部分。 例如：MCU 中可能包含用来存储程序或数据的 EEPROM、数字电位器（Digital Potentiometer）内也需要 EEPROM 来存储设置值。

单独的 EEPROM 组件，其通信口通常可分为串行（serial）与并行（parallel）两类。除电源线外，串行通信口只使用1~4只接线来传递信号，所需接脚较并行式少，通常用来存储数据。运行用的程序则通常放在并行式的 EEPROM 中，以利访问。

型号通常为以 28 开头的系列。

至于型号通常为以 29 或 49 开头的系列，写入须以较大的区块为单位，此种存储器一般会使用 Flash （闪存/闪存）来称呼。至于能以较小单位(例如以字节)擦除或写入的则才以 EEPROM 称呼，以作区别。