第谷环形山
位于月球南部的山岳地带的环形山
第谷环形山及其附近地区这是月球表面最著名的环形山之一。是以丹麦天文学家第谷·布拉赫的名字命名。它位于月球南部的山岳地带,中心的近似位置为:43.31°S 11.36°W。第谷环形山是人们观测得最多的环形山之一,直径约85公里,深4850米左右。环形山底部有比较复杂的中央峰群,高达1600米。第谷环形山直径达51英里(约合82公里),在地球上用肉眼就能看到,事实上它却是许多天文爱好者们观测的目标。
简介
第谷环形山是位于月球南半球高地的一个很突出的撞击坑,被以丹麦天文学家第谷·布拉赫的名字命名;向南是一连串的坑组成的坑街,向东是Pictet,向东北是Sasserides。第谷环形山周围的表面布满了各种规模的坑穴,并且有许多重叠著的老坑穴,有一些较小的坑穴是从第谷环形山溅射出的较大喷出物再度溅射而形成的。
第谷环形山是一个相对而言较年轻的陨石坑,依据阿波罗17号任务中对再覆盖在陨石坑辐射纹样本的分析,估计年龄为1.08亿年。如此的年龄建议,撞击可能是一颗的巴普提斯蒂娜族(Baptistina family)的小行星造成的,但是撞击的成分仍是未知的,因此这只是目前的推测。然而,模拟的研究认为第谷环形山有70%的可能性是由小行星298的碎片之一撞击形成的。来自同一个家族的一个更大的碎片则可能是6500万年前在地球撞出希克苏鲁伯陨石坑,造成恐龙灭绝的元凶。
这个环形山边缘清晰,不像那些古老的环形山那样被后来的撞击所侵蚀。太阳在他的上方时,凸显出它内部有很高的反照率,并且坑穴的四周围有形成辐调的独特辐射线,长度延伸达到1500公里。甚至在只有地球照(地球反射的阳光)的光线时,也能看见这些辐射纹。
以第谷环形山为中心的辐射线系统。
在超越厓壁边缘之外,有一个反照率比内部低的区域延伸超过100公里,并且有着任意的辐射线标记,这圈暗淡的轮缘可能是撞击期间被从内部挖出的矿物。
它的内壁陷入并且如同梯田,呈现粗糙的斜坡,但在接近平坦的平地内展示出小的、圆形的穹隆。这种平坦的地形最有可能出现在过去的火山,标示出熔岩体造成的影响。这些地板的详细照片显示他有一系列的裂缝和小山纵横交错成阵列。在地板的中心隆起的山峰高1,6公里,并且在主峰的东北还有一个较矮的山峰。
在一次月食时进行的月球表面的红外线观测,显示第谷环形山表面冷却的速度比其它地区的表面慢一点,使这个坑穴成为一个”热点”。这种现象是因为覆盖在坑穴上的物质不同造成的差异。
坑穴的边缘是测量员7号选择的任务目标。这艘机器人太空船在1968年1月安全的降落在坑穴的北边。这艘太空船进行表面的化学成分测量,发现与海不同的化学组成。从这次测量,高第的主要化学成分在理论上是斜长石-一种富含铝的矿物。这个坑穴在月球轨道5号的影像中也很清晰。
从1950年代至1990年代,美国国家航空航天局的空气动力学家迪安查普曼和其他人发展出似曜石月球起源说。查普曼使用复杂的轨道电脑模型和大量的风洞实验支持他的理论,即澳大利亚粗糙带鳞状的似曜石来自于第谷环形山溅射出的辐射线。除非能解释粗糙带鳞状的样本,将无法排除似曜石起源于月球的说法。
早在1645年的月面图上就已经绘有第谷环形山,当时Antonius Maria Schyrleus de Rheita 以描绘出明亮的辐射纹系统。
形成原因
关于环形山的形成,比较流行的解释有两种:
其一,月球形成不久,月球内部的高热熔岩与气体冲破表层,喷射而出,就像地球上的火山喷发。它们起初威力较强,熔岩喷出又高又远,堆积喷口外部,形成环形山。后来喷射威力减小,喷射堆积只在中央底部,堆成小山峰,就是环形山中的中央峰。有的喷射熄灭较早,或没有再次喷射,就没有中央峰。
其二,流星体撞击月球。1972年5月13日有一颗大的陨星体在月面上撞成一个有足球场那么大的陨石坑。撞击时引起的月震,被放置在月面的4个月震仪记录下来。主张陨石撞击的人认为,在距今约30亿年前,空间的陨星体很多,月球正处于半融熔状态。巨大的陨星撞击月面时,在其四周溅出岩石与土壤,形成了一圈一圈的环形山。又由于月面上没有风雨洗刷与激烈的地质构造活动,所以当初形成的环形山就一直保留至今。
许多环形山的周围都呈现放射状斑纹结构,这种环形山至少在60座以上,如第谷、哥白尼、开普勒等环形山,都有形状不一、长短不同、条纹数量互异和亮度也很不一致的辐射纹。1968年美国的“勘测者”7号月球探测器,拍下了第谷环形山的一些辐射纹。第谷环形山的辐射纹共有12条,它们穿过山脉、月谷,也横越月海,其中最长的一条辐射纹竟长达1800千米,最宽的一条有20千米宽。
辐射纹是怎样形成的?多数科学家认为,火山喷发或者大的陨星体撞击月球表面时,岩石以及岩石粉末等被抛向四周。后来,这些物质逐渐回落到月面而成为辐射纹。由于它们的反照率比较大,所以看上去显得格外明亮。
参考资料
最新修订时间:2023-08-23 14:08
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概述
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