由于硅与氧生成致密氧化膜,能够阻止氧在常温和高温对过渡金属发生氧化作用,因此,硅化物可以作为保护层。多在
超大规模集成电路中使用,如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。
硅化物熔点不高,热导率高,而抗热震性好,硬度较高,但脆性也大,有金属光泽,电阻率低。用途最多的硅化物是MoSi,熔点2030℃,硬度HV1250,抗压强度2310MPa,MoSi2发热体发热温度为1600℃,可长期使用,是空气气氛中温度最高的发热体之一,用自蔓延铝热法制造的弥散Al2O3,质点的MoSi2发热体,使用温度可达1800℃,金属、
金属氧化物加碳和硅反应,可制得硅化物。
制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有:蒸发、溅射、电镀、
化学气相淀积等。