陈弘毅，男，
江苏省徐州市人，1942年出生于重庆市。清华大学教授，博士生导师，
中国电子学会高级会员。
清华大学微电子学研究所学术委员会主任。1965年本科毕业于清华大学无线电电子学系，1981年研究生毕业于清华大学计算机科学与工程系。自1981年起在
清华大学微电子学研究所从事教学与科研工作。
1985-1987在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)电机系固体器件研究室从事超晶格量子阱结构的界面和隧穿性质研究。在此期间，研制了高灵敏度隧道谱仪，并用来分析了各种超晶格量子阱结构的共振隧穿和声子谱特性。为了研究金属-半导体接触的界面特性，提出和建立了正偏
肖特基势垒电容-电压法测量系统，研究了不同工艺条件对微波砷化镓金属-半导体接触
场效应晶体管(GaAs-MESFET)界面特性的影响。自1987年以来从事集成电路(IC)设计研究，包括：基于门阵列(GA)、标准单元(SC)和功能块(BB)的专用集成电路(ASIC)设计方法；库开发技术；系统的芯片集成(System on-a-Chip)；算法的硬件架构与实现；
超大规模集成电路-数字信号处理(VLSI-DSP)在多媒体信号(语言、音频、图象、视频)处理和信息安全领域的应用等等。1988年以来参加与主持的主要科研项目有：