马佐平（1945年11月—2021年5月），出生于甘肃省兰州市，微纳电子专家，美国国家工程院院士，中国科学院外籍院士，中国台湾“中央研究院”院士，IEEE Fellow，耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授。

1945年11月，马佐平出生于中国甘肃省兰州市，原籍浙江省东阳市。

1949年，四岁时随父母到了台湾。

1968年，从台湾大学电机系毕业，此后赴美国留学。

1971年，从美国耶鲁大学毕业，获得硕士学位。

1974年，从美国耶鲁大学毕业，获得博士学位。

1974年—1975年，担任国际商业机器公司（IBM）系统产品部高级副工程师。

1975年—1977年，担任IBM系统产品部正工程师。

1977年—1985年，担任耶鲁大学电机系及应用物理系副教授。

1983年，担任美国加州大学柏克莱分校访问员。

1985年，晋升为教授。

1988年—1991年，担任耶鲁大学电机系代理系主任。

1991年—1995年，担任耶鲁大学电机系主任。

1994年，入选IEEE Fellow。

1999年—2016年，担任耶鲁大学电机系微电子中心共同主任。

2000年—2007年，担任耶鲁大学电机系主任。

2002年7月，担任耶鲁大学Raymond John Wean讲座教授。

2003年，当选为美国国家工程院院士。

2005年—2014年，担任北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心共同主任。

2009年，当选为中国科学院外籍院士。

2012年，当选为第29届中国台湾“中央研究院”院士。

2021年5月，在美国因病去世，享年77岁。

马佐平于1970年始在做超薄（～4纳米）栅氧化硅研究中指出隧穿电流对MOS特性的重要影响，发现了辐射效应或热载子效应所产生的界面陷阱与在界面附近的应变分布有直接的关联，而据此提出一个“栅诱导的应变分布”模式来解释实验的结果，推出在栅氧化硅内掺入极小量的诸如氟、氯或氮等杂质来促成应变的弛豫以降低辐射或热载子效应的方法。发现了一个在经历辐照MOS内的界面陷阱的转型现象，并随后对此做了系统的研究。他最先提出用氮化硅（Si3N4）做MOS栅介质以取代二氧化硅（SiO2）的概念并首先用实验证明其可行性，推动了引入用更高介电常数的栅介质的理念，进而推展未来的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量产High-k Gate Dielectrics的芯片， 正式实践了马佐平早期理念。他的研究小组创先使用“非弹性电子隧道谱”（IETS）的方法来探测超薄高介电常数的介质内的微结构、微缺陷及杂质。

根据2021年4月中国科学院网站显示，马佐平在耶鲁大学培养了大批华裔微电子科技专家，其中40多位中国学生在他指导下获得博士学位。

根据2021年4月中国科学院网站显示，马佐平从1993年以来，几乎每年都回国，多次到中国空间技术研究院、中国科学院、清华大学、北京大学、山东大学、天津大学、复旦大学、上海交通大学、厦门大学等科研机构和大学讲学。

1994年至2000年间，马佐平研究小组与中国科学院新疆物理所的辐射效应小组密切合作，促使中国科学院新疆物理所成为中国的半导体器件的辐射效应中心之一。2002年到2005年，与清华大学共同研发制造先进的闪存器件。2005年，马佐平与北大微电子学研究院王阳元共同成立了北京大学—耶鲁大学微电子及纳米技术联合研究中心，合作研讨微电子及纳米电子领域的最先进的科学课题。

马佐平两次得BFGoodrich之全美国大学生发明人指导教授奖（1993年，1998年）。

马佐平对金属/氧化物/半导体（MOS）的科学认知及技术发展，尤其是在MOS栅介质 （包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。（中国科学院评）

马佐平专注于科学研究并取得卓越成就，他对科学的贡献享誉全世界！（中共东阳市委统战部、东阳市乡贤联谊总会评）