高鼎三（1914年7月24日—2002年6月13日），出生于上海市，半导体与光电子学专家，中国工程院院士，吉林大学半导体系创建者。

1914年7月24日，高鼎三出生于上海市的一个贫寒家庭，幼时曾用名高鼎珊。

1933年，从没学过英语、数学、物理、化学的高鼎三在刚从美国学成归来的姨母的鼓励与资助下，在家自学半年后考入上海大同大学附中（高中，今上海市大同中学）。

1934年2月，进入上海大同大学附中读书，以半工半读形式读至毕业。

1937年7月，考入交通大学，并得到了上海爱国化学家吴蕴初出资设立的清寒教育基金资助。上海“八一三”战事爆发后，高鼎三到武汉大学借读。

1938年9月，转到国立西南联合大学物理系读书。

1941年7月，从国立西南联合大学物理系毕业，并获得理学学士学位，毕业后到中央研究院评议会担任《科学记录》助理编辑，在主任编辑吴有训教授直接领导下工作。

1947年11月，被录取为留美实习生，去美国加利福尼亚大学研究院攻读物理。

1948年，被美国加利福尼亚大学录取为助教（兼职）资格，免交学费，因中国国内经费断绝，他就改走勤工俭学之路。

1951年，取得美国加利福尼亚大学硕士学位后，开始攻读博士学位。但因情况变化，中断了学业，改去洛杉矶一家国际整流器公司任研究员。

1953年，取得美国加利福尼亚大学博士学位。

1955年5月，乘上“威尔逊总统号”轮船回到中国；9月，被分配到东北人民大学（现吉林大学）物理系工作，担任副教授、系副主任兼半导体研究室主任。

1959年，主持建立了吉林大学半导体系，并任系主任一直到1984年。

1978年，被评为教授。

1984年，担任由吉林大学半导体系扩建成的吉林大学电子工程系名誉系主任。

1990年—1993年，担任“集成光电子学国家重点实验室”学术委员会主任。

1995年，当选为中国工程院院士。

2002年6月13日，因病医治无效，在长春逝世，享年88岁。

高鼎三在中国国内首先研制成大功率整流器、点接触二极管、三极管、光电二极管，较早研制成功GaAs激光器，500A、2500V大功率晶闸管。在1986年国务院召开的“863”计划专家座谈会上，建议把光电子技术列为高技术的独立项目。并承担了“863”计划中“可见光激光器”的结构设计及工艺研究和“半导体激光器热传输特性”等研究项目。

根据2021年8月中国工程院网站显示，高鼎三先后出版专译著2部，发表独立或合作论文100余篇。

1956年2月，高鼎三去北京参加中国物理学会召开的关于半导体研究的会议。

1986年5月4日，高鼎三应邀参加国务院主持召开的高技术专家座谈会，在参加信息专家组的讨论中，他系统地阐述了美国、日本、西欧等国的光电子技术的发展水平及其战略，继而提出了中国应将光电子技术列为相对独立的高技术研究开发项目的建议。

1987年12月，在召开的长春市九届人大会议上，高鼎三向市委书记、市长建议成立长春市高技术工业园区，并撰写了“吉林省半导体光电子技术的发展和前景”论文。

根据2021年8月中国工程院网站显示，高鼎三先后获得全国科学大会奖，国家发明奖三等奖两项、四等奖1项，电子工业部科技奖进步一等奖1项，国家教委科技进步奖二等奖1项。

根据2021年8月中国工程院网站显示，高鼎三先后培养硕士、博士生、博士后50余名。

1961年，高鼎三主持编写《晶体管原理讲义》。

高鼎三为本科生讲授《晶体管原理》《半导体物理》等专业课程和为研究生开设《光电子学》《半导体激光器》等学位课。

2002年的5月31日，应吉林大学团委之请，高鼎三为学子写下这样一段话：“国富民强根本在于科技进步，科技兴国根本在于首创性，创新，并且善于把科技成果迅速变成产业，在国际市场上有较大的竞争力。我国人力资源丰富，但人才资源则有待青年一代人的努力。”

1995年，高鼎三当选为中国工程院院士。

高鼎三的祖父高懋升是宜兴丁山丁南村人，早年在上海开设福康缸盆店谋生，其父亲高德荣出生于上海，母亲曹毓英，祖籍也是宜兴。

高鼎三是中国半导体事业开拓者之一，为中国光电器件和半导体激光器发展倾注了毕生精力，并培养了一大批专业人才。（中国工程院评）

高鼎三为中国的半导体事业、科教事业作出了不可磨灭的贡献。在他生命的最后时光里，他想到的仍是国富民强，科技进步。爱国，是他一生的精神信念，他的身上始终闪耀着，如此纯粹的精神之光。（《宜兴日报》评）

高鼎三奖学金是由吉林大学电子科学与工程学院院友在建院六十周年之际捐资设立，旨在奖励在学业、科研创新、社会服务等方面取得优异成绩的本科生。