刻蚀，英文为Etch，它是半导体
制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与
光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将
光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或
物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为
微加工制造的一种普适叫法。
刻蚀最简单最常用分类是：
干法刻蚀和
湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。
湿法刻蚀是一个纯粹的
化学反应过程，是指利用
溶液与预刻蚀材料之间的
化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是：
干法刻蚀种类很多，包括光挥发、
气相腐蚀、
等离子体腐蚀等。按照被刻蚀的材料类型来划分，干法刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如
二氧化硅。干法刻蚀优点是：
各向异性好，选择
比高，
可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，
处理过程未引入污染，
洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。
干法刻蚀主要形式有纯
化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯
物理过程（如
离子铣），
物理化学过程，常用的有
反应离子刻蚀RIE，
离子束辅助
自由基刻蚀
ICP等。
干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀，
等离子刻蚀（Plasma Etching），高压等离子刻蚀，
高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，
剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
有图形的
光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的
特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶
保护地区域，如图1所示。