工艺集成，是指在集成电路制造过程中把不同的模块工艺按照一定的设计或者规则有机集成，构成完整的制造流程。

根据集成电路产品种类，可以将工艺集成分为CMOS、Flash和DRAM三种工艺集成过程。

CMOS工艺过程包括：一、前端(FEOL)工艺：有源区、阱区注入、栅图形化、晶体管源/漏极；二、中端(MEOL)工艺：自对准金属硅化物、接触孔图形化和刻蚀、接触孔钨沉积和CMP；三、后端(BEOL)工艺：互连、钝化（铝互连：金属叠层(Ti/TiN/Al-Cu/TiN)PVD和刻蚀、电介质平坦化、通孔图形化和刻蚀；铜互连：通孔图形化和刻蚀、沟槽图形化和刻蚀、阻挡层(Ta/TaN)和铜籽晶层、铜电镀和退火、金属(Cu/Ta)CMP）。

Flash工艺过程包括：一、前端工艺：有源区、字线、接触位线/源线、源线、接触位线、位线；二、后端工艺：通孔、金属层。

DRAM工艺过程包括：叠层电容工艺、深沟槽电容工艺、埋字线(bWL)工艺。