掩模版（mask）简称掩模，是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上。掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。在投影式光刻机中，掩模作为一个光学元件位于会聚透镜（condenser lens）与投影透镜（projection lens）之间，它并不和晶圆有直接接触。掩模上的图形缩小4~10倍（现代光刻机一般都是缩小4倍）后透射在晶圆表面。为了区别接触式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被称为倍缩式掩模（reticle）。

掩模版（mask）简称掩模，是光刻工艺不可缺少的部件。掩模上承载有设计图形，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上。掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量。在投影式光刻机中，掩模作为一个光学元件位于会聚透镜（condenser lens）与投影透镜（projection lens）之间，它并不和晶圆有直接接触。掩模上的图形缩小4~10倍（现代光刻机一般都是缩小4倍）后透射在晶圆表面。为了区别接触式曝光中使用的掩模，投影式曝光中使用的掩模又被称为倍缩式掩模（reticle）。表1对这两种掩模的不同之处做了对比。大型集成电路光刻工艺中使用的都是步进-扫描式光刻机（scanner），以及与之相配套的倍缩式掩模。在日常交流中，倍缩式掩模仍然被简称为掩模。

表1 掩模与倍缩式掩模之间的区别

掩模版本身也是一个微细加工过程。它涉及曝光、显影、刻蚀等工艺过程。掩模的曝光常用扫描激光束完成。经过曝光显影后的镀铬玻璃板一般经过湿法酸腐蚀去除暴露的铬层，从而形成掩膜图形。这时传统掩模版的制造过程。

为了保证在不同型号光刻机之间的互用，掩模的结构和几何尺寸都类似的。它的主体是一块152mm*152mm（即）的高质量石英玻璃基板，其厚度是，如图1中（a）所示。石英玻璃对深紫外光（≤365mm）有很高的透过率，而且其热膨胀系数只有0.5ppm/℃ (通常玻璃是9.4ppm/℃)。一个铝合金制备的框架被安装在玻璃基板上刻有图形的一侧，如图1中（b）所示。铝合金框架高6.1mm、厚2mm，它用于蒙贴保护膜，如图1中（c）所示。掩模所有曝光的区域都必须在保护膜的覆盖之下。外界和掩模的机械接触都发生在铝合金框架之外的部分。铝合金框架侧面开有通气孔，以避免曝光、温度变化时形成内外压强差。

在铝合金框架之外的区域还设置有预对准标识（pre-alignment marks）、掩模版的序列号（barcode）、工厂的序列号（reticle ID）、TIS标识（transmission image senor marks）等，如图2所示。

近年来为了提高曝光分辨率，开发出了相移掩模和光学邻近效应校正掩模。这些掩模的制造工艺比传统掩模复杂得多。

三重金属掩模：在金属膜或金属片表面上的某些区域被第二层抗蚀金属保护，而第二层金属本身的某些区域又被第三层抗蚀金属所保护，采用这种方式形成的金属掩模称为三重金属掩模。